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FF200R12KS4
产品型号FF200R12KS4
品牌Infineon
封装IGBT
价格电询
描述MMG200D120B6C兼容双IGBT模块 200A1200V
查看资料FF200R12KS4

产品说明



FF200R12KS4参数:IGBT模块,200A,1200V



制造商: Infineon



产品种类: IGBT 模块



RoHS: N



产品: IGBT Silicon Modules



配置: Dual



集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V



集电极—射极饱和电压: 3.2 V



在25 C的连续集电极电流: 275 A



栅极—射极漏泄电流: 400 nA



Pd-功率耗散: 1.4 kW



封装 / 箱体: 62 mm



最小工作温度: - 40 C



最大工作温度: + 125 C



封装: Tray



高度: 30.5 mm



长度: 106.4 mm



技术: Si



宽度: 61.4 mm



商标: Infineon Technologies



安装风格: Chassis Mount



栅极/发射极最大电压: 20 V



产品类型: IGBT Modules



工厂包装数量: 10


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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
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