FF200R12KS4参数：IGBT模块，200A,1200V

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: N

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 3.2 V

在25 C的连续集电极电流: 275 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 1.4 kW

封装 / 箱体: 62 mm

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 30.5 mm

长度: 106.4 mm

技术: Si

宽度: 61.4 mm

商标: Infineon Technologies

安装风格: Chassis Mount

栅极/发射极最大电压: 20 V

产品类型: IGBT Modules

工厂包装数量: 10