国际整流器公司的第五代HEXFETs采用先进的 实现最低导通电阻的工艺技术 硅面积。这一优势与快速切换速度和 HEXFET功率MOSFETs众所周知的加固器件设计， 为设计者提供了一种非常有效的装置 各种应用。 D-PAK设计用于使用汽相、红外或 波峰焊技术。直铅版(IRFU系列)是为 通孔安装应用。功耗高达1.5瓦 在典型的表面贴装应用中是可能的。

商品目录 场效应管(MOSFET)

类型 1个N沟道

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流(Id) 28A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@17A,10V

功率(Pd) 68W

阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs) 25nC@5V

输入电容(Ciss@Vds) 880pF@25V

反向传输电容(Crss@Vds) -

工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)