IMP3253是一款高压、高速功率 MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚 CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦 VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。同时，通过降低栅极驱动的 di/dt 的峰值，欠压闭锁阈值的迟滞电压为 1V，使电路的抗噪声性能有大幅度提高。芯片的 Latch-up 和 ESD 性 能良好

特点

 内部集成 600V 高压半桥驱动器

 VCC 到 COM 之间有 16.1V 钳位齐纳管

 超低启动电流  内部死区时间控制，并且随着温度变化死区时间变化很小

 CT 管脚实现保护关断功能

 增加欠压保护的迟滞电压（1V）  启动阶段 VLO 和 VHO 输出脉冲宽度恒定

 更低的栅极驱动峰值（di/dt）以提高抗干扰能力

 低压输出端信号逻辑和 RT 端相同