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 | 型号 AD8541ARTZ-REEL7 |  | 型号 LAN8770MT-E/PRAVAO |  | 型号 MIC5235-3.3YM5-TR |  | 型号 LM5008ASD/NOPB |  | 型号 ISO6762FQDWRQ1 |  | 型号 TSC2007IPWR |  | 型号 ADM6316DZ31ARJZ-R7 |  | 型号 TAJB106K025RNJ |
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产品型号 | WGD7N60S | 品牌 | WG | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管7A600V | 查看资料 | WGD7N60S | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A(Tc) 栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA 漏源导通电阻 1.2 Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta) 125W(Tc) 类型 N 沟道
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