商品目录 场效应管(MOSFET)

数量 1个N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流(Id) 300A

导通电阻(RDS(on)) 2mΩ@6V,75A

耗散功率(Pd) 375W

阈值电压(Vgs(th)) 3.8V@280uA

栅极电荷量(Qg) 211nC@10V

输入电容(Ciss) 16nF

反向传输电容(Crss) 140pF

工作温度 -55℃~+175℃

类型 N沟道

输出电容(Coss) 2.3nF