SVF8N60F Silan N沟道平面高压MOS 8A 600V

你好，欢迎您咨询订购！	联系电话☎：0755-88601081

热门搜索:SVF8N60F| 2SK1317| STFW3N150| STW3N150| ADAS1000BSTZ-RL| TPS7A9201DSKR|

首页 > Silan士兰微NCE新洁能 > SVF8N60F

公司联系方式
销售电话	0755-88601081
手机热线	13480836474
传真	0755-88601081
联系QQ	(592755649)
淘宝联系
联系QQ	(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

	型号 2SK1317
	型号 ADAS1000BSTZ-RL
	型号 TPS7A9201DSKR
	型号 CDCV304PWR
	型号 JW5060T
	型号 JW5060TTSOTB#TRPBF
	型号 TDA51SCANHC
	型号 ADXL326BCPZ-RL7

SVF8N60F

产品型号	SVF8N60F
品牌	Silan
封装	TO-220F-3L
价格	电询
描述	N沟道平面高压MOS 8A 600V
查看资料	SVF8N60F
购买SVF8N60F

产品说明

SVF8N60F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

8A，600V，RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt 能力

类似SVF8N60F产品

下一页尾页页码：1/10
产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
SVF8N60F	Silan	TO-220F-3L	N沟道平面高压MOS 8A 600V

SVM1045V2	PANJIT强茂	TO-277B	低VF肖特基整流器电压45v 电流10A

SVG063R5NL5	Silan	PDFN5*6	N沟道SGT低压MOS

SVF10N80F	Silan	TO-220F-3L	10A800V，N沟道平面高压MOS

SVF10N80F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管10A800V

SVF10N65F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管10A650V

SVF12N65F	Silan	TO-220F-3L	12A650V N沟道平面高压MOS

SVF18N65F	Silan士兰	TO-220F	18A 650V增强型N沟道场效应管

SVF12N60F	Silan士兰	TO-220F	N沟道12A600V场效应管

SVF12N60F	Silan	TO-220F-3L	12A600V N沟道平面高压MOS

SVF9N90F	Silan	TO-220F-3L	N沟道平面高压MOS 9A900V

SVF9N90FN	Silan	TO-3P	N沟道场效应管9A900V

SVM1060XB	PANJIT强茂	TO-277B	低VF肖特基整流器电压60v 电流10A

SVM1060X	PANJIT强茂	TO-277	低VF肖特基整流器60V10A490MV

SVF10N65T	Silan士兰	TO-220	N沟道场效应管10A650V

SVF7N80F	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管7A800V

SVF8N60CF	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管8A600V

SVF14N65CFJ	Silan士兰	TO-220F	N沟道场效应管14A650V

SVD1055SA	Silan	SOP-8	N➕P沟道平面低压MOS

SVD9Z24NT	Silan	TO-220-3L	N沟道平面低压MOS

元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

关于我们 - 产品目录 - 产品资料 - 联络方式 - 工作机会 - 友情链接 - 法律声明

深圳市通络科技电子有限公司版权所有◎Copyright 2020
地址：广东省深圳市福田区中航路国利大厦B座29楼2942室

电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@163.com，

粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002388号