WGU4N65SE参数：4A,650V,N沟道场效应管 特点： □ 低固有电容。 □ 出色的开关特性。 □ 扩展安全操作区。 □ 无与伦比的栅极电荷：Qg=14nC (Typ.)。 □ BVDSS=650 V,ID=4A □ R DS(on) : 2.50Ω (Max) @V G=10V □ 100% 雪崩测试