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ON
封装
SOT-23
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描述
P沟道场效应管(MOSFET)2A30V
查看资料
FDN360P
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产品说明
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 2A
功率(Pd) 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 9nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 298pF@15V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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