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WGD1N60
产品型号WGD1N60
品牌WG
封装TO252
价格电询
描述N沟道场效应管1A600V
查看资料WGD1N60

产品说明


一般说明
该功率MOSFET是产品平面条纹,DMOS技术。 这项最新技术已经实现特别设计用于最小化通态电阻,具有很高的特性崎岖的雪崩特征。 这些设备非常适合用于高效开关模式电源,有功功率因数校正,基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

特征
RDS(on)(最大12.0Ω)@ VGS = 10V
栅极电荷(典型值4.5nC)
提高dv / dt能力,高耐用性
100%雪崩测试
最高结温范围(150°C)

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