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产品型号 | WGD1N60 | 品牌 | WG | 封装 | TO252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管1A600V | 查看资料 | WGD1N60 | |
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产品说明
一般说明 该功率MOSFET是产品平面条纹,DMOS技术。 这项最新技术已经实现特别设计用于最小化通态电阻,具有很高的特性崎岖的雪崩特征。 这些设备非常适合用于高效开关模式电源,有功功率因数校正,基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
特征 RDS(on)(最大12.0Ω)@ VGS = 10V 栅极电荷(典型值4.5nC) 提高dv / dt能力,高耐用性 100%雪崩测试 最高结温范围(150°C)
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