产品说明
STP60NF06参数:60A,60V,N沟道场效应管MOSFETS
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 108 ns
系列: STP60NF06
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 43 ns