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产品型号 | WGC3320 | 品牌 | WG | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | 三极管15A500V | 查看资料 | WGC3320 | |
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产品说明
2sc3320 - 基本信息 采用开关管(S),功率放大(L)封装方式。 生产厂家:日本富士电机公司 制作材料:Si-NPN 性质:开关管(S),功率放大(L) 封装形式:开关管(S),功率放大(L) 极限工作电压:500V 最大电流允许值:15A 最大工作频率:<1MHZ或未知 引脚数:3 可代换的型号:BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13(A),2SC3451,2SC3520,2SC3844,2SC3874, 最大耗散功率:80W 2SC3320参数: 集电极 - 基极电压:60V 集电极 - 发射极电压:500V 发射极 - 基极电压:6V 集电极电流:200mA 集电极耗散功率:300mW 结点到环境的热阻:417 ℃/W 结温:150℃ 储藏温度:-55~+150℃
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | CA-IS3211SCWG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 超宽体光耦兼容型隔离驱动 |  |  |  | | CA-IS3050WG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 隔离式CAN收发器 |  |  |  | | CA-IS3020WG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 低功耗单双向I2C隔离器 |  |  |  | | WG4953A | WG | SOP-8 | P沟道场效应管-4.1A,-30V;RDS<44MR |  |  |  | | WG9435A | WG | SOP-8 | P沟道场效应管-5.3A -30V |  |  |  | | WGA40N50SE | WG | TO-247 | 高压MOS场效应管40A500V |  |  |  | | WGA32N50L | WG | TO-247S | 高压MOS场效应管32A500V |  |  |  | | WGA30N50SE | WG | TO-247/TO-247 | 高压MOS场效应管30A500V |  |  |  | | WGF30N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO-247S | 高压MOS场效应管30A500V |  |  |  | | WGF20N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO-247S | 高压MOS场效应管20A500V |  |  |  | | WGF18N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO0-247S | 高压MOS场效应管18A500V |  |  |  | | WGF16N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-247S | 高压MOS场效应管16A500V |  |  |  | | WGF13N50SE | WG | TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管13A500V |  |  |  | | WGF10N50SE | WG | TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管10A500V |  |  |  | | WGF5N50SE | WG | TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管5A500V |  |  |  | | WG2N50SE | WG | TO-252/TO-251 | 高压MOS场效应管2A500V |  |  |  | | WGA30N60LK | WG | TO-247S | 高压MOS场效应管30A600V |  |  |  | | WGF30N60SE | WG | TO-220F/TO-3P/TO-247S/TO-247 | 高压MOS场效应管30A600V |  |  |  | | WGF20N60SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO0-247S | 高压MOS场效应管20A600V |  |  |  | | WGF16N60L | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管16A600V |  |  |  | |
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