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产品型号 | STD10PF06T4 | 品牌 | ST | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管10A60V | 查看资料 | STD10PF06T4 | |
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产品说明
制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: STMicroelectronics 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 60 V Id-连续漏极电流: 10 A Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最大工作温度: + 175 C 技术: Si 封装: Reel 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 10 ns 正向跨导 - 最小值: 5 S 最小工作温度: - 65 C Pd-功率耗散: 40 W 上升时间: 40 ns 系列: STD10PF06 晶体管类型: 1 P-Channel 典型关闭延迟时间: 40 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 单位重量: 4 g
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