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高耐压大电流达林顿阵列芯片
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产品说明
晶体管类型：8 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：18-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：18-SOIC
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