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TLC27L2IDR
产品型号TLC27L2IDR
品牌TI
封装SOP8
价格电询
描述全MOS双运放
查看资料TLC27L2IDR

产品说明



TLC27L2和TLC27L7双操作放大器结合了广泛的输入偏移具有低偏移电压漂移的电压等级,高输入阻抗、极低功率和高获得这些器件使用德州仪器公司的硅门LinCMOS 提供偏置电压的技术稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。极高的输入阻抗、低偏置电流和低功耗使这些产品具有成本效益适用于高增益、低频率、低功率应用的理想设备。有四种偏移电压级可供选择(C后缀和I后缀类型),从低成本的TLC27L2(10 mV)到高精度的TLC27L7(500µV)。这些优点与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些设备成为新的最先进设计以及升级现有设计的好选择。一般来说,LinCMOS中有许多与双极技术相关的功能微调偏移电压:


TLC27L7。25°C时最大500µV,


VDD=5伏


输入偏移电压漂移。典型的


0.1µV/月,包括前30天


电源电压范围宽


规定温度范围:


0°C至70°C。3伏至16伏


−40°C至85°C。4伏至16伏


−55°C至125°C。4伏至16伏


单一供应操作


共模输入电压范围


在负轨下方延伸(C-Suffix,


I后缀类型)


超低功耗。。。通常为95µW


在25°C时,VDD=5 V


输出电压范围包括负极


栏杆


高输入阻抗。1012Ω 类型


ESD保护电路


小型外形包选项


有磁带和卷轴两种


闩锁式抗扰设计

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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
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