PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

应用领域

■ 开关电源适配器

■ 电池充电器

■ 机顶盒电源

产品特征

■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（264VAC）

■ 采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准

■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度

■ 原边反馈可省光耦和TL431

■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调

■ 无需额外补偿电容

■ 无音频噪声

■ 智能保护功能

 过温保护 (OTP)

 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)

 逐周期过流保护 (OCP)

 CS开/短路保护 (CS O/SP）

 开环保护 (OLP)