产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 49 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 330 W
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
宽度: 4.4 mm
单位重量: 6 g