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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN | | 型号 JW5068AQFNF#TRPBF | | 型号 JW5068A |
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产品说明
SPW47N60C3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 47 A, Vds=650 V, 3针 TO-247封装 Infineon 的该系列 MOSFET 晶体管组合了快速切换超结 MOSFET 的所有优点,易于使用。 如低区域特定通态电阻和输出电容中存储的能量减少,500V CoolMOS™ CE 系列提供高主体二极管坚固性,实现极低的传导和切换损耗,使切换应用中更高效、更紧凑、更轻且更凉爽。
输出电容中存储的能量减少 高主体二极管坚固性 (E oss) 反向恢复充电减少 (Q rr) 门充电减少 (Q g) 切换行为易于控制 通道类型 N 最大连续漏极电流 47 A 最大漏源电压 650 V 最大漏源电阻值 0.07 Ω 最大栅阈值电压 3.9V 最小栅阈值电压 2.1V 最大栅源电压 ±20 V 封装类型 TO-247 安装类型 通孔 引脚数目 3 通道模式 增强 类别 功率 MOSFET 最大功率耗散 415 W 配置 单 每片芯片元件数目 1 宽度 5.3mm 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm 典型接通延迟时间 18 ns 长度 15.9mm 最高工作温度 +150 °C 高度 20.95mm 典型关断延迟时间 111 ns 典型输入电容值@Vds 6800 pF@ 25 V 最低工作温度 -55 °C 典型栅极电荷@Vgs 252 nC@ 10 V
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