属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 24.3A
栅源极阈值电压 3.9V @ 1.2mA
漏源导通电阻 160mΩ @ 15.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C） 240W
类型 N沟道
查看类似商品 FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：24.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 15.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3000pF @ 25V
功率 - 最大值：240W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
粤公网安备 44030402002388号