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 | 型号 AD8541ARTZ-REEL7 |  | 型号 LAN8770MT-E/PRAVAO |  | 型号 MIC5235-3.3YM5-TR |  | 型号 LM5008ASD/NOPB |  | 型号 ISO6762FQDWRQ1 |  | 型号 TSC2007IPWR |  | 型号 ADM6316DZ31ARJZ-R7 |  | 型号 TAJB106K025RNJ |
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产品型号 | WGD90N03 | 品牌 | WG | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | 90A 30V N沟道场效应管MOSFET | 查看资料 | WGD90N03 | |
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产品说明
30V N沟道MOSFET
特点:
□ 低固有电容。
□ 出色的开关特性。
□ 扩展的安全操作区域。
□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=nC(典型值)。
□ BVDSS=30V,I D=
□ RDS(开):mΩ VG=10V时的(最大)
□ 100%雪崩测试
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