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 | 型号 AD8541ARTZ-REEL7 |  | 型号 LAN8770MT-E/PRAVAO |  | 型号 MIC5235-3.3YM5-TR |  | 型号 LM5008ASD/NOPB |  | 型号 ISO6762FQDWRQ1 |  | 型号 TSC2007IPWR |  | 型号 ADM6316DZ31ARJZ-R7 |  | 型号 TAJB106K025RNJ |
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产品型号 | WGD15N10 | 品牌 | WG | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | 15A100V N沟道场效应管 | 查看资料 | WGD15N10 | |
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产品说明
属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 80mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 50W(Tc)
类型 N沟道
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