一般说明

SLM2136是一款用于三相应用的高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。

专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。终止所有六个输出的电流跳闸功能可从外部电流感测电阻器导出。启用功能可用于同时终止所有六个输出。提供漏极开路故障信号，指示发生过流或欠压停机。

过电流故障条件被清除

在外部编程的延迟后自动

通过连接到RCIN输入的RC网络。这个

输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器

阶段设计为最小驱动器交叉传导。

传播延迟匹配，以简化在网络中的使用

高频应用。浮动航道

可用于驱动N沟道功率MOSFET

或IGBT在高压侧配置

工作电压高达600 V。

产品概述

 最大电压偏移600 V。

 IO+/-250毫安/350毫安

 电压10 V-20 V

 吨/关（典型值）400纳秒/380纳秒

 死区时间（典型值）290 ns

特征

 为引导设计的浮动通道

操作

 完全运行至+600 V

 耐负瞬态电压，dV/dt

免疫

 栅极驱动电源范围为10 V至20 V

 所有通道的欠压锁定

 低/高侧输出与输入异相

 3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容

 较低的di/dt门驱动器具有更好的抗噪性

 交叉传导预防逻辑

 两个信道的匹配传播延迟

 外部可编程自动延迟

故障清除

 SOIC-28L封装