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SI2399DS
产品型号SI2399DS
品牌Vishay
封装SOT-23
价格电询
描述P沟道场效应管
查看资料SI2399DS

产品说明


产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
系列: SI2
晶体管类型: 1 P-Channel
正向跨导 - 最小值: 15 S
CNHTS: 8541290000
下降时间: 9 ns
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 8 mg

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