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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN | | 型号 JW5068AQFNF#TRPBF | | 型号 JW5068A |
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产品型号 | SI2304BDS-T1-GE3 | 品牌 | VISHAY | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V | 查看资料 | SI2304BDS-T1-GE3 | |
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产品说明
产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 2.6 A Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Qg-栅极电荷: 2.6 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 0.75 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 高度: 1.45 mm 长度: 2.9 mm 系列: SI2 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 1.6 mm 商标: Vishay / Siliconix 正向跨导 - 最小值: 6 S 下降时间: 15 ns 上升时间: 12.5 ns 工厂包装数量: 3000 典型关闭延迟时间: 19 ns 典型接通延迟时间: 7.5 ns 单位重量: 8 mg
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