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SI1012R-T1-GE3
产品型号SI1012R-T1-GE3
品牌VISHAY
封装SC-75A
价格电询
描述N沟道场效应管
查看资料SI1012R-T1-GE3

产品说明


制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Vishay / Siliconix
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 6 V
Id-连续漏极电流: 600 mA
Rds On-漏源导通电阻: 700 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-75A-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5 ns
系列: SI1012
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 25 ns
零件号别名: SI1012R-GE3

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