描述

SA2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，基于P_SUB P_EPI工艺，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。浮置通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压高达250V。逻辑输入与标准CMOS或LS TTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。

SA2103输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最小化驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，以简化在高频应用中的使用。



特性

⚫ 完全可操作至250V

⚫ 兼容3.3/5/15V输入逻辑

⚫ VCC范围从10V到20V

⚫ 典型电流能力为1.0A/1.5A

⚫ 死区时间200ns（典型值）

⚫ VCC和VBS的UVLO

⚫ 耐负瞬态电压

⚫ 匹配的传播延迟

⚫ 可提供SOP8封装

应用

⚫ 电力电机驱动器

⚫ 半桥功率转换器

⚫ 全桥功率转换器