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| 产品型号 | P55NF06 | | 品牌 | ST | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 场效应管 | | 查看资料 | P55NF06 | |
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产品说明
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 50 ns
系列: STP55NF06
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 36 ns
单位重量: 2.240 g
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