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NTR4101PT1G
产品型号NTR4101PT1G
品牌ON
封装SOT-23
价格电询
描述ON原装P沟道场效应管-3.2A -20V
查看资料NTR4101PT1G

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 730 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTR4101P
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 7.5 S
下降时间: 12.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12.6 ns
工厂包装数量: 3000

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