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产品型号 | NTD4860NT4G | 品牌 | ON | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道MOS场效应管65A20V | 查看资料 | NTD4860NT4G | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10.4A,65A(Tc) 漏源电压(Vdss) 25V 栅源极阈值电压(最大值) 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻(最大值) 7.5 mΩ @ 30A,10V 类型 N 沟道 功率耗散(最大值) 1.28W,50W(Tc)
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