NTD4860NT4G-N沟道MOS场效应管65A20V

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厂商	ON
封装	TO-252
批号	18+
价格	电询
起售数量	2500个/盘
描述	N沟道MOS场效应管65A20V
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产品说明
属性参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 10.4A，65A（Tc）
漏源电压（Vdss） 25V
栅源极阈值电压（最大值） 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值） 7.5 mΩ @ 30A，10V
类型 N 沟道
功率耗散（最大值） 1.28W，50W（Tc）

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