来源：半导体在线

800V 车型密集发布，碳化硅是 800V 高压快充标配。

碳化硅耐高压特性适配800V高压快充车型，同时SiC方案可实现新能源汽车三电系统降本、增效。23年有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市，可见新势力车企的高性能策略已强势拉动碳化硅渗透，未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。碳化硅市场未来将由新能源汽车主导拉动，预计2028年全球市场规模有望达到66亿美元，22-28年CAGR高达32%。

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衬底端，国产产能释放拉动降本，重视各厂商产能实际交付能力。
1）SiC价格较高限制应用放量，21年衬底占成本比例约46%、是产业链的核心降本环节，24-25年国产衬底厂商市场释放是产业链降本、打开需求空间的关键时点。
2）根据Yole数据，2022年全球碳化硅衬底市场中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ和 SICrystal三家合计占据约72%市场份额，国产厂商天科合达、天岳先进加速追赶，22年导电型衬底合计实现营收1.04亿美元，合计占比15%，同比+5pct。
3）尽管各国产厂商规划产能增速极高，但由于碳化硅衬底存在降低缺陷密度等技术门槛，因此并非所有规划产能均能如期实际交付，部分厂商未来可能出现技术落后将导致盈利能力不佳，从而放缓扩产节奏，尾部厂商将主动或被动完成产能出清。
器件端，国产厂商研发、扩产并举，24年有望成为国产化元年。
1）根据Yole数据，2021年SiC市场份额前五厂家均为欧美日企业，合计占据93%的市场份额，其中意法半导体依靠与特斯拉的合作占据全球40%的市场份额。
2）国产设计厂商持续推出导通电阻更低、性能更优的碳化硅芯片产品，同时传统设计公司已开始涉足碳化硅晶圆制造产线建设，拟完成碳化硅IDM能力构建。国产代工厂商持续提升工艺平台能力、扩建产能。
3）可比国产IGBT上车历史，凭借供应本土化优势，国产碳化硅模块厂商有望加速上车，24年有望成为器件国产化元年。