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产品型号 | MOC3083 | 品牌 | ON | 封装 | DIP-6 | 价格 | 电询 | 描述 | 光电耦合器 | 查看资料 | MOC3083 | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: 三极与 SCR 输出光电耦合器 RoHS: 详细信息 封装 / 箱体: PDIP-6 零交叉电路: With Zero-Crossing Circuit 输出类型: PhotoTriac 通道数量: 1 Channel 绝缘电压: 5250 Vrms If - 正向电流: 60 mA Vf - 正向电压: 1.3 V Pd-功率耗散: 250 mW 关断状态下输出电压-VDRM: 800 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 系列: MOC3083M 高度: 3.53 mm 长度: 8.89 mm 宽度: 6.6 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 安装风格: Through Hole 最大触发电流: 5 mA 产品类型: Triac & SCR Output Optocouplers 工厂包装数量: 1000 子类别: Optocouplers 零交叉电压: 20 V 零件号别名: MOC3083M_NL 单位重量: 855 mg
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | PJP10NA80 | PANJIT强茂 | TO-220F | 10A800V N沟道MOSFET | | | | | PJF10NA80 | PANJIT强茂 | TO-220F | 10A800V N沟道MOSFET | | | | | PJF8N65M | PANJIT强茂 | TO-220F | 7.5A650V N沟道MOSFET | | | | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | MOC3063S-TA1 | LITEON光宝 | SOP6 | 小体积贴片光电耦合器 | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IPP110N20N3G | Infineon | TO-220 | 88A200V N沟道场效应管(MOSFET) | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | FDN360P | ON | SOT-23 | P沟道场效应管(MOSFET)2A30V | | | | | SVD1055SA | Silan | SOP-8 | N➕P沟道平面低压MOS | | | | | SVD9Z24NT | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVDP2353PL3A | Silan | PDFN3*3 | P沟道平面低压MOS | | | | | SVF14N25CD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVF6N25CD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVD640T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVD540D | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVD540T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | SVD3205T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | |
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