你好,欢迎您咨询订购! 联系电话☎:0755-88601081
首页
产品分类
公司联系方式
销售电话0755-88601081
手机热线13480836474
传真0755-88601081
联系QQ(592755649)
淘宝联系icdemi
联系QQ(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

型号
XL1509-12E1
型号
B0509S-3WR2
型号
B1212S-3WR2
型号
B0505S-3WR2
型号
MBRD20200CT
型号
MCP2562T-E/SN
型号
JW5068AQFNF#TRPBF
型号
JW5068A
 
MOC3063-M
产品型号MOC3063-M
品牌NO/Fairchild
封装DIP6
价格电询
描述光电耦合器
查看资料MOC3063-M

产品说明


MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
它们专为与逻辑系统和 115/240 VAC 线路供电设备之间的接口中的三端双向可控硅开关搭配使用而设计,这类设备有固态继电器、工业控制装置、电机、电磁阀和消费家电等。
特性
简化 115/240 VAC 电源的逻辑控制
过零电压,最小化导通和辐射线路噪声
600 V 峰值阻塞电压
卓越的静态 dv/dt
600 V/μs (MOC306xM)
1000 V/μs (MOC316xM)
安全和法规认证
UL1577, 4,170 VACRMS(1 分钟)
DIN EN/IEC60747-5-5
应用
消费型设备
工业级电机
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 三极与 SCR 输出光电耦合器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: PDIP-6
零交叉电路: With Zero-Crossing Circuit
输出类型: PhotoTriac
通道数量: 1 Channel
绝缘电压: 5250 Vrms
If - 正向电流: 50 mA
Vf - 正向电压: 1.2 V
Pd-功率耗散: 250 mW
关断状态下输出电压-VDRM: 600 V
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 40 C
系列: MOC3063M
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
最大触发电流: 5 mA
最大开启时间: 20 us
工厂包装数量: 1000
零交叉电压: 20 V
零件号别名: MOC3063M_NL
单位重量: 855 mg

类似MOC3063-M产品

 下一页 尾页 页码:1/10
产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
SA2601SYTAtekSOP-8600V双N-MOS半桥栅极驱动芯片SA2601SA2601
TMS8563STMSMSOP8带CMOS实时时钟芯片TMS8563S
MOC3021-MONDIP6光电耦合器MOC3021-M
MOC3021ONDIP-6光电耦合器MOC3021
MOC3061ON/FairchildDIP6光电耦合器MOC3061
MOC3061-MON(Fairchild)DIP6光电耦合器MOC3061-M
MOC3063-MNO/FairchildDIP6光电耦合器MOC3063-M
MOC3063ON/FairchildDIP6光电耦合器MOC3063
MOC3023ON/FairchildDIP6光电耦合器MOC3023
MOC3023-MFairchildDIP-6光电耦合器MOC3023-M
MOC3021S-TA1LITEON光宝SOP6高速光电耦合器MOC3021S-TA1
WGD40N10VWGTO-25240A 100V N沟道场效应管MOSFETWGD40N10V
CPC1017NTRIXYS/CLARESOP-460V常开单极固态继电器OptoMOSRelaysCPC1017NTR
CPC1017NCLARESOP-460V常开单极固态继电器OptoMOSRelaysCPC1017N
RU20P7C6RUICHIPSOT23-6P沟道MOS场效应管5A20VRU20P7C6RU20P7C6
RU20P7CRUICHIPSOT23-6P沟道MOS场效应管5A20VRU20P7CRU20P7C
AP1511BUWMSOT-23-6IR-Cut Removable (ICR)专用驱动ICAP1511B
MBI5168GD-AMACROBLOCKSOP16/1.27mm内置CMOS位移缓存器与栓锁器LED显示驱动芯片MBI5168GD-A
RU30L30M3RUICHIPSOP-8-30A -30V P沟道场效应管MOSFETRU30L30M3RU30L30M3
WGD30P03WGTO-25230A 30V P沟道场效应管MOSFETWGD30P03WGD30P03
元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

深圳市通络科技电子有限公司 版权所有◎Copyright 2020
地址:广东省深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座14L室

电话TEL(传真FAX):0755-88601081,邮件Email:icdemi@icdemi.com,

 粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002388号