MB85RC04V是一种FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为512字×8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。用于MB85RC04V的非易失性存储单元的读/写耐久性已经提高到至少1012个周期，在数量上显著优于其他非易失性存储器产品。MB85RC04V在写入存储器后不需要轮询序列，例如闪存的情况存储器或E2PROM。

■ 特征

•位配置：512字×8位

•双线串行接口：可通过两个端口完全控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。

•工作频率：1 MHz（最大）

•读/写持久性：1012次/字节

•数据保留期：10年（+85°C）、95年（+55°C

•工作电源电压：3.0 V至5.5 V

•低功耗：工作电源电流90μA（典型值@1 MHz）

备用电流5μA（典型值）

•操作环境温度范围

：−40°C至+85°C

•包装：8针塑料SOP（FPT-8P-M02）

符合RoHS