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产品说明
IRG4PF50WD:900V,51A,200W 产品种类: IGBT 晶体管 制造商: Infineon RoHS: 符合RoHS 详细信息 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V 集电极—射极饱和电压: 2.25 V 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 在25 C的连续集电极电流: 51 A 栅极—射极漏泄电流: 100 nA Pd-功率耗散: 200 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 集电极最大连续电流 Ic: 51 A 高度: 20.7 mm (Max) 长度: 15.87 mm (Max) 最小工作温度: - 55 C 工厂包装数量: 25 技术: Si 宽度: 5.31 mm (Max) 单位重量: 38 g
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类似IRG4PF50WDPBF产品
下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
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