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产品型号 | IRFR9024NPBF | 品牌 | IR/infineon | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管-55V,0.175mO,-8.8A,38W | 查看资料 | IRFR9024NPBF | |
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产品说明
-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
优势
符合 RoHS
低 RDS(on)
具有业内先进的品质
动态的dv/dt额定值
快速开关
完全雪崩额定值
175°C 的工作温度
P 通道MOSFET
指标参数
Parametrics IRFR9024N
ID (@25°C) max -11.0 A ; -11.0 A
Moisture Sensitivity Level 1
Mounting SMD
Ptot max 38.0 W
Package DPAK (TO-252)
Polarity P
QG (typ @10V) 12.7 nC ; 12.7 nC
Qgd 6.7 nC
RDS (on) (@10V) max 175.0 mΩ ; 175.0 mΩ
RthJC max 3.3 K/W
Tj max 150.0 °C
VDS max -55.0 V
VGS(th) min max -3.0 V -2.0 V -4.0 V ; -3.0 V -2.0 V -4.0 V
VGS max 20.0 V
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | |
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