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产品型号 | IRF630B | 品牌 | FAIRCHILD | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | 场效应管9A200V | 查看资料 | IRF630B | |
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产品说明
IRF630B Fairchild TO-220 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 Id-连续漏极电流: 9 A Vds-漏源极击穿电压: 200 V Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 72 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 封装: Tube 商标: Fairchild Semiconductor 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 65 ns 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 70 ns 系列: IRF630 工厂包装数量: 50 典型关闭延迟时间: 60 ns
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LCPBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | |
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