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WGD40N10V
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40A 100V N沟道场效应管MOSFET
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特点:
□低固有电容。
□出色的开关特性。
□扩展的安全操作区域。
□无与伦比的栅极电荷:Qg=12.7nC(典型值)。
□BVDSS=100V,ID=40A
□RDS(开):17mΩVVG=10V时的(最大)
□100%雪崩测试
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