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G60N100BNTDTU
产品型号G60N100BNTDTU
品牌Fairchild
封装TO-264
价格电询
描述IGBT管60A1000V
查看资料G60N100BNTDTU
购买G60N100BNTDTU

产品说明


制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1000 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: +/- 25 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 500 nA
功率耗散: 180 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-264-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
系列: FGL60N100BNTD
工厂包装数量: 25
零件号别名: FGL60N100BNTD_NL
单位重量: 6.756 g

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