IRG4PF50WD:900V,51A,200W
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 51 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 200 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 51 A
高度: 20.7 mm (Max)
长度: 15.87 mm (Max)
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 25
技术: Si
宽度: 5.31 mm (Max)
单位重量: 38 g