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FQPF18N50V2

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厂商FAIRCHILD
封装TO-220F
批号11+
价格电询
起售数量50个/管
描述500V N沟道MOSFET场效应管
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产品说明
FQP18N50V2/FQPF18N50V2 500V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面条形,DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,经受住了高能量脉冲,雪崩和换向模式。
这些器件适合高效率开关模式电源,有源功率因数校正,电子灯镇流器基于半桥拓扑。
产品特点
 18A,500V,RDS(ON)=0.265Ω@ VGS=10 V
 低栅极电荷(典型42 nC的)
 低反向传输电容(典型11 pF的)
 快速开关
 100%雪崩测试
 改进的dv / dt能力
产 品 目 录 中 心
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