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产品型号 | FQP8N80C | 品牌 | ON/FAIRCHILD | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管8A800V | 查看资料 | FQP8N80C | |
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产品说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
特性
8A, 800V, RDS(on) = 1.55Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低(典型值:35nC)
低 Crss(典型值13pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
RoHS compliant
应用
LCD 电视
LED 电视
家用音频系统组件
照明
台式计算机
AC-DC商用电源-台式计算机 FQP8N80C N沟道场效应管8A800V
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