FQD20N06 Fairchild N沟道场效应管20A60V

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FQD20N06

产品型号	FQD20N06
品牌	Fairchild
封装	TO-252
价格	电询
描述	N沟道场效应管20A60V
查看资料	FQD20N06
购买FQD20N06

产品说明

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制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 16.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

系列: QFET

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

下降时间: 25 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 45 ns

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

单位重量: 330 mg

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