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FQA9N90C

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厂商Fairchild
封装TO-3P
批号17+
价格电询
起售数量30个/管,450个/盒
描述N沟道场效应管
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购买FQA9N90C
产品说明
FQA9N90C参数:9A,900V
制造商: ON Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-3PN-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 900 V 
Id-连续漏极电流: 9 A 
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
配置: Single 
Pd-功率耗散: 280 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
高度: 20.1 mm  
长度: 16.2 mm  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: MOSFET  
宽度: 5 mm  
商标: ON Semiconductor / Fairchild  
正向跨导 - 最小值: 9.2 S  
下降时间: 75 ns  
上升时间: 120 ns  
工厂包装数量: 30  
典型关闭延迟时间: 100 ns  
典型接通延迟时间: 50 ns  
零件号别名: FQA9N90C_NL  
单位重量: 5.600 mg
产 品 目 录 中 心
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