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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN | | 型号 JW5068AQFNF#TRPBF | | 型号 JW5068A |
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产品型号 | FDA20N50F | 品牌 | ON/Fairchild | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管20A500V | 查看资料 | FDA20N50F | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3PN-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 230 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 280 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: UniFET 封装: Tube 高度: 20.1 mm 长度: 16.2 mm 系列: FDA20N50_F109 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 5 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 下降时间: 105 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 375 ns 工厂包装数量: 450
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