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FCP22N60N
产品型号FCP22N60N
品牌Fairchild
封装TO-220
价格电询
描述N沟道场效应管22A600V
查看资料FCP22N60N

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 205 W
通道模式: Enhancement
商标名: SupreMOS
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FCP22N60N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SupreMOS
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 22 S
下降时间: 4 ns
上升时间: 16.7 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 49 ns
典型接通延迟时间: 16.9 ns
单位重量: 1.800 g

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