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产品型号 | BUZ350 | 品牌 | infineon/Siemens | 封装 | TO-218 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | BUZ350 | |
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产品说明
BUZ350制造商: Infineon SIPMOS®功率晶体管 N通道 增强模式 雪崩额定 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 200 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 22 A 漏源导通电阻: 120 mOhms 配置: Single 最大工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-218 下降时间: 90 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 125 W 上升时间: 70 ns 典型关闭延迟时间: 250 ns
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