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BM07S30N2
产品型号BM07S30N2
品牌HangYuan
封装TO-252
价格电询
描述N沟道高功率MOSFET场效应管30V70A
查看资料BM07S30N2

产品说明


说明
BM07S30N2采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的无线电数据系统(开),低门电荷。它可以用于汽车应用和各种各样的其他应用。
特征
30V/70A,
Rds(开)=3.5 MΩ@Vgs=10V
低QG和高开关速度
超低导通电阻
100%雪崩测试
提供无铅和绿色设备(符合RoHS)
应用
SMPS中的高效同步整流
高速电源切换

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CD4069UBM96TISOP-14六反相器电路CD4069UBM96
QBM3020-1UHYDACN/A进口备件QBM3020-1UQBM3020-1U
LT6654BMPS6-5#TRPBFADI亚德诺SOT-23-6精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准LT6654BMPS6-5#TRPBFLT6654BMPS6-5#TRPBF
LT6654BMPS6-4.096#TRPBFADI亚德诺SOT-23-6精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准LT6654BMPS6-4.096#TRPBFLT6654BMPS6-4.096#TRPBF
LT6654BMPS6-3.3#TRPBFADI亚德诺SOT-23-6精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准LT6654BMPS6-3.3#TRPBFLT6654BMPS6-3.3#TRPBF
LT6654BMPS6-3#TRPBFADI亚德诺SOT-23-6精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准LT6654BMPS6-3#TRPBFLT6654BMPS6-3#TRPBF
LT6654BMPS6-2.5#TRPBFADI亚德诺SOT-23-6精准、宽电源范围、高输出驱动、低噪声基准LT6654BMPS6-2.5#TRPBFLT6654BMPS6-2.5#TRPBF
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