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产品型号 | 55NM60ND | 品牌 | ST | 封装 | TO-247 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | 55NM60ND | |
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产品说明
STW55NM60ND参数:55A,600V,N沟道场效应管MOSFETS 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 51 A Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 25 V 最大工作温度: + 150 C 封装: Tube 通道模式: Enhancement 商标: STMicroelectronics 配置: Single 下降时间: 96 ns 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 350 W 上升时间: 68 ns 系列: N-channel MDmesh 工厂包装数量: 600 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 188 ns 典型接通延迟时间: 33 ns
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