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IMP3211
产品型号IMP3211
品牌IMP
封装DIP8
价格电询
描述高压半桥驱动IC
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产品说明


IMP3211(S)为高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，为半桥应用而设计的高低侧独立的输出通道。 专有的HVIC和抗扰CMOS工艺，耐用的整体结构。逻辑输入与标准CMOS输出有兼容性。提供内部死区时间以避免半桥直通，浮置沟道能驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，高侧能以高达600V电压操作。
专为自举操作设计的浮置沟道，能在600V工作，容忍负暂态电压dV/dt
门驱动电压从10V－20V
双通道欠电压锁定输出
下拉的CMOS施密特触发输入
双通道匹配的传输延迟
内部设置死区时间
高侧输出相位与输入一致
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