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TBC50P
 
2SK3018
产品型号2SK3018
品牌CJ长电
封装SOT-23
价格电询
描述N沟道场效应管100mA30V
查看资料2SK3018

产品说明


制造商: CJ Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UMT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 35 ns
高度: 0.8 mm
长度: 2 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 35 ns
系列: 2SK3018
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 1.25 mm

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