产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 980 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: N-channel MDmesh
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
下降时间: 50 ns
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 600
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 38 g